【电脑报于线】半导体存储芯片行业的成长是一个不停冲破极限的历程。自1980年月NAND Flash问世以来，履历过SLC、MLC、TLC也成长到了此刻的QLC，到2022年其重叠层数更是迈进了200+层，闪存技能朝着速率更快、成本更低、容量更年夜的标的目的不停进步。

半导体存储芯片行业的成长是一个不停冲破极限的历程。自1980年月NAND Flash问世以来，履历过SLC、MLC、TLC也成长到了此刻的QLC，到2022年其重叠层数更是迈进了200+层，闪存技能朝着速率更快、成本更低、容量更年夜的标的目的不停进步。

如今各原厂闪存技能成长迅速：

SK海力士已经乐成研发238层4D NAND，规划2023年上半年投入量产；

供给链动静称长江存储新一代3D闪存也到达232层；

Kioxia/WD也宣布其下一代BiCS 7的重叠层数将到达212层；

有动静称三星最新236层V-NAND将在年内实现批量出产。

但，今天咱们要说的是，国产存储于近几年的机缘及挑战下，也有了可喜可贺的冲破。不论是消费级还有是企业级存储设备，你又多了新的、更无后顾之忧地选择。

说点让人冲动的动静——

对于在国产存储，可能许多人知道长江存储、合肥长鑫、福建晋华等，现实上还有有许多品牌一直于默默努力，加年夜研发力度，不停立异冲破，为国产存储技能赶超国际程度做出本身的努力。

8月19日，东芯半导体于回覆投资者发问时吐露，该公司采用19nm进步前辈工艺的NAND Flash闪存产物已经完成为了首轮流片，今朝正于产物调试的历程中。东芯称，公司于更新工艺方面不停研讨，从38nm、24nm再到正于开发的19nm的工艺，经由过程更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产物。

公然资料显示，东芯半导体株式会社(DoSilicon)建立在2014年，是一家Fabless芯片企业。公司拥有自力自立的常识产权，聚焦在中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、出产及发卖，是今朝海内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺及产物方案的存储芯片研发设计公司。此次19nm工艺NAND Flash闪存流片，绝对于算患上上国产存储的又一年夜好动静。

别的，8月5日刚于创业板上市的江波龙也在近日分享了技能结果：由江波龙彻底自立研发的中国年夜陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash正式发布。这款芯片可以或许极年夜地帮忙客户降低整机体系成本，并晋升终真个产物竞争力。今朝，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已经周全量产，于智能穿着、物联网模块、安防监控、收集通信等范畴获得广泛运用。

本年上半年长江存储已经向一些客户交付了其自立研发的192层3D NAND闪存的样品，估计将于本年年末前正式推出响应产物。今朝以量产程度来看，最高量产的NAND闪存层数为192层，而闪存规格来看，最高量产规格为UFS3.1，也就是说年末若长江存储能实现量产，于不呈现新的竞争敌手以前，咱们的量产规格及层数都是最高的。这将是长江存储于半导体研发范畴上的又一个里程碑。

于人工智能，云计较等日趋成长迅速的新基建范畴，摸索新型存储芯片同样成为了一种趋向。昕原半导体作为新型半导体存储技能公司，一直致力在提供改造性的存储、存内计较等多种立异芯片产物及IPs，从头界说存储、智能计较及安全，为人工智能、物联网、云计较、5G通信等范畴保驾护航。如今昕原已经经建成中国首条28nm/22nm的ReRAM出产线，ReRAM存储芯片的上风于在读取速率快，功耗低，运用规模广漠，这对于在国产存储行业来讲绝对于是一个可喜可贺的动静。

别的，2022年2月22日兆易立异公布旗下天下产化38纳米SPI NAND Flash GD5F全系列芯片已经经乐成经由过程AEC-Q100车规级认证。这款车载芯片及以往最年夜的差别于在它是天下产自研的，全线的芯片出产财产链上，基本上没有外洋公司的存于，充实申明中国芯的成长更进了一步。

咱们要给国产存储更多决定信念

最近几年来，国产存储技能各方面已经经取患了冲破，国产存储行业早已经挣脱了“低质量”“低经久”“售后差”等等标签，于这几年间给海内用户运送了愈来愈多质量过硬的九五至尊官网产物。多款国产SSD一经发布就引起消费者强烈的回声，而且用实测成就证实了产物实力。信赖于不久的未来，咱们将用上更多纯国产设计研发的更有保障的产物。

编纂：jl

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